Electromechanical and semiconductor relays

Série PhotoMOS® HF avec résistance ON faible

Relais semi-conducteurs à coupleur photo avec faible résistance ON optimisée pour une faible puissance dissipée et une puissance élevée de commutation.
HF series with low ON resistance hero

Une puissance plus élevée pour un meilleur environnement

Application environment sustainability

La dernière innovation en matière de technologie de relais PhotoMOS® est un véritable jalon pour ce qui est de la sortie de puissance : Série 1 AQV209G HF forme A est une version haute capacité capable de commuter jusqu’à 1200V 0,75A, à la fois pour les charges AC et DC. Les nouveaux matériaux abaissent la résistance ON jusqu’à 1Ω, ce qui entraîne une faible puissance dissipée et permet un petit boîtier DIP6 (CMS et THT). Cette performance unique en son genre fait de l’AQV209G le choix parfait pour remplacer les relais reed ou les relais contenant des substances dangereuses comme du mercure.

Caractéristiques

  • Tension de charge 1200V
  • Courant de charge 0,75V
  • Utilisation double AC / DC
  • Type 1FormA
  • Résistance 1,0Ω ON (type)
  • Type DIP6, CMS ou THT
  • Commutation sans bruit
  • Durée de vie infinie
  • Isolation galvanique entre les circuits d’entrée et de sortie

Applications

  • Équipement industriel
  • Module d’E/S
  • Contrôles
  • Équipement de mesure
  • Équipement d’essai
  • Remplacement des relais reed
  • Remplacement des relais contenant du mercure

Articles de la série PhotoMOS® HF

Série Fiche technique Boîtier Configuration de sortie Tension de charge Utilisation double AC/DC Tension d’isolement E/S
HF 1 contact NO Téléchargement DIP6 1a (1 contact NO) 40, 60, 250, 400V Oui 1500V
Haute capacité HF 1 contact NO Téléchargement DIP6 1a (1 contact NO) 1200V Oui 1500V

 

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